လေဝင်လေထွက်ဖိအားအာရုံခံကိရိယာ (ManifoldAbsolutePressureSensor) ကို ဤနောက်မှ MAP အဖြစ် ရည်ညွှန်းသည်။ ၎င်းကို လေဟာနယ်ပြွန်ဖြင့် စားသုံးခြင်းအချုပ်သို့ ချိတ်ဆက်ထားသည်။ မတူညီသောအင်ဂျင်အမြန်နှုန်းတင်ဆောင်မှုများဖြင့်၊ ၎င်းသည် intake manifold ရှိ လေဟာနယ်ပြောင်းလဲမှုကို သိရှိနိုင်ပြီး အာရုံခံကိရိယာအတွင်းရှိ ခံနိုင်ရည်ပြောင်းလဲမှုကို ဗို့အားအချက်ပြမှုအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲနိုင်သည်၊ ၎င်းသည် ဆေးထိုးပမာဏနှင့် စက်နှိုးချိန်ထောင့်ကို ပြုပြင်ရန်အတွက် ECU မှ အသုံးပြုနိုင်သည်။
EFI အင်ဂျင်တွင် D injection system (velocity density type) ဟုခေါ်သော intake volume ကို detect လုပ်ဖို့ Intake pressure sensor ကိုအသုံးပြုသည်။ intake pressure sensor သည် intake volume ကို intake flow sensor ကဲ့သို့ တိုက်ရိုက်မတွေ့သော်လည်း သွယ်ဝိုက်၍ detect သည် ။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ၎င်းသည် အကြောင်းရင်းများစွာကြောင့်လည်း သက်ရောက်မှုရှိသည်၊ ထို့ကြောင့် intake flow sensor မှ ထောက်လှမ်းခြင်းနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းခြင်းတွင် မတူညီသောနေရာများစွာရှိပြီး၊ ထုတ်ပေးသော ချို့ယွင်းချက်မှာလည်း ၎င်း၏ထူးခြားချက်ရှိသည်။
စားသုံးမှုဖိအားအာရုံခံကိရိယာသည် အခိုးအငွေ့နောက်ကွယ်ရှိ စားသုံးမှုအမံ၏ ပကတိဖိအားကို သိရှိသည်။ ၎င်းသည် အင်ဂျင်အမြန်နှုန်းနှင့် ဝန်အားအရ manifold အတွင်းရှိ absolute pressure အပြောင်းအလဲကို သိရှိနိုင်ပြီး ၎င်းကို signal voltage အဖြစ်သို့ ပြောင်းကာ engine control unit (ECU) သို့ ပေးပို့ပါသည်။ ECU သည် signal voltage ၏အရွယ်အစားအရ အခြေခံလောင်စာထိုးပမာဏကို ထိန်းချုပ်သည်။
varistor အမျိုးအစား နှင့် capacitive type ကဲ့သို့သော inlet pressure sensor အမျိုးအစားများစွာရှိသည်။ Varistor ကို D injection system တွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုရခြင်းမှာ ၎င်း၏ အားသာချက်များဖြစ်သည့် တုံ့ပြန်မှုအချိန်၊ တိကျမှုမြင့်မားမှု၊ သေးငယ်သော အရွယ်အစားနှင့် လိုက်လျောညီထွေရှိသော တပ်ဆင်ခြင်းကဲ့သို့သော အားသာချက်များကြောင့် ဖြစ်သည်။
ပုံ 1 သည် varistor intake pressure sensor နှင့် computer ကြား ချိတ်ဆက်မှုကို ပြသည်။ သဖန်းသီး။ 2 သည် varistor အမျိုးအစား inlet ဖိအားအာရုံခံကိရိယာ၏ အလုပ်လုပ်ဆောင်မှုနိယာမနှင့် R ကို ပုံတွင်ပြသည်။ 1 သည် ပုံတွင်ဖော်ပြထားသော strain resistors R1, R2, R3 နှင့် R4 ဖြစ်သည်။ 2 သည် Wheatstone တံတားကိုဖွဲ့စည်းပြီး ဆီလီကွန်အမြှေးပါးနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ဆီလီကွန်ဒိုင်ယာဖရမ်သည် အ manifold ရှိ ပကတိဖိအားအောက်တွင် ပုံပျက်သွားနိုင်ပြီး strain resistance R ၏ ခံနိုင်ရည်တန်ဖိုး ပြောင်းလဲမှုကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ manifold အတွင်းရှိ absolute pressure ပိုများလေ၊ silicon diaphragm ၏ ပုံပျက်လာလေလေ၊ ပြောင်းလဲမှု ကြီးလေလေဖြစ်သည်။ ခုခံမှု R. ဆိုလိုသည်မှာ၊ ဆီလီကွန်ဒိုင်ယာဖရမ်၏ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာပြောင်းလဲမှုများသည် လျှပ်စစ်အချက်ပြမှုများအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲပြီး၊ ပေါင်းစပ်ထားသော circuit နှင့် ECU သို့ output
